|
|
Автор: Папков В.С., Цыбульников М.Б.
Издательство: Энергия
Год издания: 1979
Количество страниц: 88
Язык: русский
Формат: PDF
Размер: 37 Мб
Каталожный номер: 84907
|
Рассматриваются вопросы получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире и шпинели и формирования на их основе интегральных схем. Изложены методы выращивания кристаллов сапфира и алюмомагниевой шпинели, а также методы подготовки диэлектрических подложек к гетероэпитаксии. Рассмотрены вопросы получения монокристаллических слоев кремния газотранспортными методами, особенности кристаллического строения и электрофизических свойств кремния на диэлектрических подложках. Книгу завершает материал о приборных разработках. Книга предназначена для широкого круга специалистов, работающих в области производства полупроводниковых приборов и материалов для микроэлектроники.
Ключевые теги: Эпитаксиальные, кремниевые, слои, диэлектрических, подложках, приборы, основе, материал, |
|